半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029451
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223690
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】作業性が良く、かつ、良好な歩留まりを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、シリコン基板1の表面に絶縁層2を形成した後、絶縁層2上にシリコン層3を形成する工程と、このシリコン層3の一部を選択的にエッチングする工程と、このエッチングによって除去されたシリコン層3の一部を介して、絶縁層2の湿式エッチングを適量行い、絶縁層2の一部を残した状態で湿式エッチングを停止する工程と、残された絶縁層2の一部をドライエッチングによって除去する工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、半導体基板の表面に犠牲層となる絶縁層を形成した後、絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、このシリコン層の一部を選択的にエッチングする工程と、このエッチングによって除去された前記シリコン層の一部を介して、前記絶縁層の湿式エッチングを適量行い、前記絶縁層の一部を残した状態で前記湿式エッチングを停止する工程と、前記残された絶縁層の一部をドライエッチングによって除去する工程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , G01P 15/12 , H01L 21/306 , H01L 29/84

FI (4件)：

H01L 21/302 J , G01P 15/12 , H01L 29/84 Z , H01L 21/306 S

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