特許

J-GLOBAL ID：200903034989622746

化合物半導体気相成長方法

発明者： 秋田 勝史 ,  岡久 拓司 ,  嶋津 充 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194211
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041548
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体である導電性の基板上に、高品質の化合物半導体のInGaNエピタキシャル層を成長させる方法を提供する。【解決手段】 Inを含有金属とする有機金属とCl<SB>2</SB>ガスを含む第1のガスと、NH<SB>3</SB>ガスを含む第2のガスとを、外部から加熱した反応室55に導入し、基板1上にキャリアガスを用いて気相成長させる方法により、InNからなるバッファ層を形成する。次にHClガス及びGaを含有金属とする有機金属を含む第3のガスと、前記第1のガスとNH<SB>3</SB>ガスを含む第2のガスとを、加熱した反応室55に導入し、前記バッファ層上にキャリアガスを用いてIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x≦1)を気相成長させる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体インジウムガリウム窒素(In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、ただし、0<x≦1)の気相成長において、インジウム(In)原料としてインジウム(In)を含有金属とする有機金属を用い、該有機金属を塩素(Cl<SB>2</SB>)ガスと同時に反応管内に導入することを特徴とする化合物半導体気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365