特許
J-GLOBAL ID：200903034992283308
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116679
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333983
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金を用いた回路基板の電極と半導体素子との接続を良好にする。【構成】 回路基板5の電極6とICチップ1の突起電極3とを導電性接着剤4により接続し、その接続部の周辺部に硬化収縮性の合成樹脂からなる充填材7を充填する。
請求項（抜粋）：
回路基板の電極をアルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金で構成し、この電極と半導体素子の突起電極とを導電性粒子を混入した導電性接着剤により接着・接続し、この両電極の接続周辺部に硬化収縮性の合成樹脂を充填してなる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/90
