特許

J-GLOBAL ID：200903034993027054

制御された電子-ビームの照射を利用するインターレベル誘電体への低K-重合体の集積

発明者： ヤン,ジン・ジュン ,  フォレスター,リン ,  チョイ,ドン・キュー ,  ワン,シ-チン ,  ヘンドリックス,ニール・エイチ
出願人/特許権者： アライドシグナル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-545737
公開番号（公開出願番号）：特表2000-511006
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】スピン-オン低誘電率(低-k)重合体フィルムが半導体基盤上に塗布される、集積回路の製造に用いられる基盤を製造する方法。スピン-オン低-k重合体フィルムの非-エッチバック加工が、そのフィルムの低い誘電率特性を、特に金属ラインの中間で失うことなしに、電子ビーム照射を用いて達成される。高分子誘電体フィルム(7、8)を、基盤に塗布して乾燥し、そして、その誘電体層を部分的に硬化するために十分な条件下で、電子ビーム放射線で暴露する。この暴露により、その誘電体層の相対的により硬くされた最上層部分(8)とその誘電体層の相対的にあまり硬くされていない下層部分(7)とが生成する。

請求項（抜粋）：

誘電性フィルムを基盤上に形成する方法であって、高分子誘電体組成物層を基盤上に適用して乾燥すること、及び、該乾燥された層を、該誘電体層を部分的に硬化させるのに十分な条件下で、電子ビームに暴露することを含んでなり、該暴露が、該誘電体層の相対的により硬くされた最上層部分と該誘電体層の相対的にあまり硬くされていない下層部分を形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C08J 3/28 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  C08J 3/28 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/90 Q