特許

J-GLOBAL ID：200903034995538277

高耐圧半導体装置

発明者： 山 口 好 広 ,  中 川 明 夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  岡澤 順生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166419
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005443
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】抵抗性フィールドプレートの間隙を広く確保しつつ、高耐圧特性を実現する。【解決手段】基板上における半導体層の表面領域において形成された内側の第1の主電極及び外側の第2の主電極とを抵抗性フィールドプレートで接続する。この抵抗性フィールドプレートは、第1の主電極を囲み、且つ、第1の主電極から第2の主電極に順次近づくように配置された複数の周回フィールドプレートと、隣り合う周回フィールドプレート同士を接続する接続フィールドプレートとを有する。複数の周回フィールドプレートによる間隙上には層間絶縁膜を介して第1及び第2の主電極間への電圧印加時に、抵抗性フィールドプレートとの間で容量を形成する導電性フィールドプレートを設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された半導体層と、 前記半導体層の表面領域に形成され、内側の第1の主電極と、外側の第2の主電極を有し、前記第1及び第2の主電極間に主電流を流すようにした横型半導体素子と、 前記第2の主電極の内側において、前記第1の主電極を囲むように前記半導体層上に形成されたフィールド絶縁膜と、 それぞれ前記フィールド絶縁膜上に形成され、前記第1の主電極を囲み、且つ、前記第1の主電極から前記第2の主電極に順次近づくように配置された、略周回形状を有する複数の周回フィールドプレートであって、最内側の前記周回フィールドプレートが前記第1の主電極に接続され、最外側の前記周回フィールドプレートが前記第2の主電極に接続された複数の周回フィールドプレートと、隣り合う前記周回フィールドプレート同士を接続する接続フィールドプレートと、を有する抵抗性フィールドプレートと、 前記複数の周回フィールドプレートによる間隙上において層間絶縁膜を介してフローティング状態に形成され、前記第1及び第2の主電極間への電圧印加時に、前記抵抗性フィールドプレートとの間で容量を形成する導電性フィールドプレートと、 を備えることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199521   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018860   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-378321   出願人：松下電器産業株式会社