特許

J-GLOBAL ID：200903034996556210

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 栗林 均
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013704
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】MOCVD法で各層を積層する場合、各層の界面を平坦にして、量子井戸構造の活性層を良質にし、メサ部形成のためにストップエッチング法採用の時にはエッチング停止効果を良好にする。【構成】活性層を組成の異なる膜の積層によって形成する場合の各膜の成膜の前後、あるいはストップエッチング層形成の前後に成長の中断時間を設けることにより界面の組成の変化が急峻にする。これにより安定して特性のそろった低動作電流のメサ型半導体レーザ素子が製造できる。

請求項（抜粋）：

互に導電形の異なる第一, 第二クラッド層にはさまれ、組成の異なる膜を交互堆積してなる活性層および第二クラッド層の条状メサ部を各層の積層方向に垂直の方向ではさむ電流阻止層を有する半導体レーザ素子の製造方法において、活性層を同一の反応室内における一つの膜の成長の前後に中断時間をはさむ気相成長法によって形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。