特許

J-GLOBAL ID：200903034997009530

オーミック電極

発明者： 白石 靖
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304290
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 成長が容易で、かつコンタクト抵抗の低いN型GaAs層およびP型GaAs層へのノンアロイオーミック電極を形成する。【構成】 N型GaAs層へのオーミック電極の場合、GaAs基板1上に、N型GaAsとN型InAsとが交互に積層された超格子層3を形成し、その上に電極金属5を形成する。超格子層は、その平均組成が表面に向かってN型InAsが徐々に大きくなるように周期を変えた構造とする。またP型GaAs層へのオーミック電極の場合、上記のオーミック電極におけるN型GaAsとN型InAsとが交互に積層された超格子層を、P型GaAsとP型InAsとが交互に積層された超格子層、あるいはP型GaAsとP型GaSbとが交互に積層された超格子層に置き換えた構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、前記半導体基板の禁制帯幅よりも小さな禁制帯幅を有する第1の半導体と、前記半導体基板と同一の格子定数を有するとともに前記第1の半導体の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する第2の半導体とが交互に積層された超格子層が形成され、前記超格子層上に電極金属が形成されたオーミック電極において、前記超格子層の平均組成が表面に向かって第1の半導体が徐々に大きくなるように周期を変調させた構造を有することを特徴とするオーミック電極。

IPC (6件)：

H01L 29/46 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H