特許
J-GLOBAL ID：200903034997565719
三次元構造体の製造方法および三次元構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377903
公開番号（公開出願番号）：特開2005-138234
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】500°C以下の低温プロセスのみでの形成が可能で、これにより半導体プロセスとの親和性が高く、かつプラスティック基板を用いることにより低コスト化を図ることが可能な三次元構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜(ALD-SiN膜3)を成膜する。ALD-SiN膜3の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱CVD法によって窒化シリコン膜(第2HCD-SiN膜9)を成膜し、これをパターニングすることによって孔11aを形成することで犠牲層パターンを形成する。第2HCD-SiN膜9からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜(第3TiN膜13)を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム(構造体パターン)13aを形成する。ALD-SiN膜3をストッパに用いて振動ビーム13aの隙間から第2HCD-SiN膜9からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム13aの下方に空間部aを形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜を成膜する第1工程と、
前記窒化シリコン膜の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱CVD法によって窒化シリコン膜を成膜し、この窒化シリコン膜をパターニングすることによって犠牲層パターンを形成する第2工程と、
前記犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜を成膜し、当該窒化チタン膜をパターニングすることによって当該犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された構造体パターンを形成する第3工程と、
前記窒化シリコン膜をストッパに用いて前記構造体パターンの隙間から前記犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、当該構造体パターンの下方に空間部を形成する第4工程とを行う
ことを特徴とする三次元構造体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030BA40
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030HA02
, 4K030JA10
, 4K030LA00
