特許
J-GLOBAL ID：200903035004862027
発光素子および半導体レーザ素子およびこれら素子を用いた装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119092
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307189
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】青色発光素子、青色半導体レーザ素子およびこれらを用いた装置において、高輝度等、高性能が得られるようにする。【解決手段】単結晶基板上に、GaN系を材料とする発光層が形成された発光素子あるいは半導体レーザ素子において、基板として、LaSrGaO4単結晶を用いる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に、GaN系を材料とする発光層が形成された発光素子において、前記基板として、LaSrGaO4単結晶を用いたことを特徴とする発光素子。
IPC (6件)：
H01S 3/18
, C30B 29/22
, H01L 23/36
, H01L 33/00
, H01S 3/043
, C30B 25/18
H01S 3/18
, C30B 29/22 Z
, H01L 33/00 C
, C30B 25/18
, H01L 23/36 Z
, H01S 3/04 S
