特許
J-GLOBAL ID：200903035024666925
半導体光検出装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216109
公開番号（公開出願番号）：特開平8-075544
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、アレイ光検出器に欠陥画素が存在する場合でも光検出精度が低下しない半導体光検出装置を提供することを目的とする。【構成】 複数の受光素子(11)の内、欠陥を有する受光素子(11′)が所定電位を有する端子(40)と接続されている。このため、この受光素子(11′)は被測定光の入射によっても常に一定の電位(所定電位)を保持し、この受光素子(11′)に過剰電荷が発生することはない。よって、過剰電荷が隣接する受光素子(11)に溢れ出して、隣接する受光素子(11)からの出力信号が異常になるといった従来の問題が生じることはない。
請求項（抜粋）：
複数の受光素子が配列された光センサを備える半導体光検出装置において、前記複数の受光素子の内、欠陥を有する前記受光素子が所定電位を有する端子と接続されていることを特徴とする半導体光検出装置。
IPC (4件)：
G01J 1/02
, G01J 3/36
, H01L 27/146
, H04N 5/335
