特許
J-GLOBAL ID：200903035027656009
マルチカスプ磁場発生装置及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114275
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306617
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 磁石ユニットの背面側の強磁性体部材の位置を可変にすることにより、磁石の製造精度や配置精度にあまり影響されることなく、真空容器の内部に均一なマルチカスプ磁場を発生させる。【構成】 円筒状の真空容器10の外側には、外周に沿って、多数の磁石ユニット12が配置されている。各磁石ユニット12は磁極配置が互いに逆向きの一対の磁石14、16と支持板20とで構成されている。これら磁石ユニット12によって真空容器10の内部にはライン状のマルチカスプ磁場18が形成される。各磁石ユニット12の背面側には、厚さ3mmのパーマロイ製の強磁性体部材22が配置されている。この強磁性体部材22は、支持板20に対して2本の調節ネジ24で連結されており、調節ネジ24を回転させると強磁性体部材22が前後して、支持板20と強磁性体部材24との間隔が変化する。
請求項（抜粋）：
真空容器の外側に多数の磁石を配置することによって真空容器の内部にマルチカスプ磁場を発生させるマルチカスプ磁場発生装置において、磁極配置が互いに逆向きの隣り合う一対の磁石によって磁石ユニットを構成し、それぞれの磁石ユニットに対して、真空容器と反対側の位置に強磁性体部材を配置し、磁石ユニットと強磁性体部材との相対位置関係を可変にしたことを特徴とするマルチカスプ磁場発生装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/11
