特許

J-GLOBAL ID：200903035028790493

太陽電池及びその製造方法

発明者： 緑川 敬史 ,  一ノ瀬 博文 ,  村上 勉 ,  森 隆弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197828
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021493
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、高性能・高信頼性の太陽電池、及び量産性が高く信頼性の高い太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基体301上に導電体層と半導体層302と透明導電体層303とが形成されてなる太陽電池の製造方法に於て、前記基体上に前記導電体層と前記半導体層と前記透明導電体層を形成後、フォーミング処理及びショ-トパッシベーション処理を行い、次いでカチオン性電着樹脂またはアニオン性電着樹脂で欠陥部分304を選択的に絶縁被覆307することにより;または前記基体上に前記導電体層(または透明導電体層)と前記半導体層とを形成後、フォーミング処理を行い、次いでカチオン性電着樹脂またはアニオン性電着樹脂で欠陥部分を選択的に絶縁被覆し、更に前記透明導電体層(または導電体層)を形成することにより;シャント抵抗を1xl03Ωcm2以上1xl06Ωcm2以下とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体上に導電体層と半導体層と透明導電体層とが形成されてなる太陽電池の製造方法に於て、前記基体上に前記導電体層と前記半導体層と前記透明導電体層とを形成後、フォーミング処理及びショ-トパッシベーション処理を行い、次いでカチオン性電着樹脂またはアニオン性電着樹脂で欠陥部分を選択的に絶縁被覆し、シャント抵抗を1x103Ωcm2以上1x106Ωcm2以下とすることを特徴とする太陽電池の製造方法。