特許

J-GLOBAL ID：200903035029296808

ドライエッチング方法

発明者： 森下 敏 ,  足立 浩一郎 ,  杉本 和雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343067
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186134
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを使用するドライエッチング技術において、下地膜と被エッチング材料との高選択性、低損傷性を実現するためには、エッチングに最適なプラズマの状態に決定し、制御する必要がある。特に、ゲート電極加工として、酸素とハロゲン元素を含む混合ガスをを用い、有機レジストマスクを用いる酸化膜上のシリコン系材料をエッチングする場合に、高選択性、低損傷性、加工寸法精度が要求されている。【解決手段】 エッチングガスに含まれる元素で特定される第1波長及び第2波長における前記プラズマの発光強度から発光強度比を求め、該発光強度の比に基づいて前記プラズマを制御してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供する。

請求項（抜粋）：

ハロゲン元素と酸素元素を含む混合ガスをプラズマにして、有機レジストマスクを用いて、酸素を含む絶縁膜上のシリコンを含む被エッチング材を選択的にエッチングを行うドライエッチング方法において、前記混合ガスに含まれる元素で特定される第1波長及び第2波長における前記プラズマの発光強度から発光強度比を求め、該発光強度比に基づいて前記プラズマを制御してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (5件)：

H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-120525
  
• 特開平1-179326
  
• 特開昭63-288024