特許
J-GLOBAL ID：200903035039893111
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003821
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195401
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、セルフ・アライメントで正確且つ均一なガード・リング構造が得られる簡単な手段を実現しようとする。【構成】 半絶縁性InP基板31上に在るp+ -InGaAsベース層34を覆って外部ベース領域に於ける表面再結合を抑止する為のn-InP表面保護層35が形成され、表面保護層35上に於いて独立したメサ構造をなし且つ表面保護層35に比較し充分に厚い層厚をもつn-InPエミッタ層38が形成され、エミッタ層38上に在って側断面がT型をなすようエミッタ層38表面から張り出して大きい平面面積をもつn+ -InGaAsエミッタ・コンタクト層39が形成され、エミッタ・コンタクト層39とエミッタ層38とがなすT型形状とエミッタ・コンタクト層39及び表面保護層35の段差に依って分断されたPt/Ti/Pt/Au膜のエミッタ電極40とベース電極41とが形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に在るベース層を覆って外部ベース領域に於ける表面再結合を抑止する為の表面保護層と、該表面保護層上に在って独立したメサ構造をなし且つ該表面保護層に比較して充分に厚い層厚をもつエミッタ層と、該エミッタ層上に在って且つ側断面がT型をなすよう該エミッタ層表面から張り出して大きい平面面積をもつエミッタ・コンタクト層と、該エミッタ・コンタクト層と該エミッタ層とがなすT型形状並びに該エミッタ・コンタクト層と該表面保護層との段差に起因して分断された同一電極材料膜で構成されたエミッタ電極及びベース電極とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
