特許

J-GLOBAL ID：200903035040163577

半導体装置

発明者： 山口 好広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275591
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086725
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 誘電体分離基板の絶縁膜を通して流れる変位電流を低減でき、または絶縁膜にかかる歪み応力を低減できる半導体装置を提供すること。【解決手段】 SOI基板を用いた高耐圧半導体チップ20を実装した半導体装置10であって、半導体チップ20は、表面に半導体素子が形成されるシリコン基板21と、裏面に酸化膜22を介して設けられたシリコン基板23とを具備する。そして、絶縁性のベース基板30に、シリコン基板23の裏面が該ベース基板30の表面に接するようにして搭載されることで、シリコン基板23の電位が浮遊電位とされることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成される第1半導体基板と、前記第1半導体基板の裏面に絶縁膜を介して設けられた第2半導体基板とを含んでなる誘電体分離基板を用いた半導体チップと、表面が前記第2半導体基板の裏面と相対するようにして前記半導体チップを実装することで該第2半導体基板の電位を浮遊電位とする、絶縁性のベース基板とを具備することを特徴とする半導体装置。