特許

J-GLOBAL ID：200903035040414103

半導体リングレーザ及びその製造方法、駆動方法

発明者： 内田 護 ,  岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215016
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033549
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体リングレーザは製造が難しく、消費電力が大きく、歩留りが悪い。【解決手段】 半導体基板上に光導波路を備え、リング共振器を構成する半導体リングレーザにおいて、光導波路の周囲に基板平行方向に光学結晶構造を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光導波路を備えリング共振器を構成する半導体リングレーザにおいて、前記光導波路の周囲に基板平行方向に光学結晶構造を有することを特徴とする半導体リングレーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA66 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CA17 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA28 ,  5F073DA35