特許

J-GLOBAL ID：200903035042056255

半導体装置用異方性応力緩和材及び半導体装置

発明者： 堀内 道夫 ,  水野 茂
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237186
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068400
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 実装基板との熱膨張率差等に起因する応力を緩和する応力緩和材を用いた半導体装置であっても、ワイヤボンディング装置を用いてワイヤボンディングをし得る半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子10の電極端子12と異方性応力緩和材14の一面側に形成された配線パターン16とがワイヤ20によって電気的に接続されて成る半導体装置であって、該異方性応力緩和材14が、その厚さ方向に互いに弾性率の異なる材料から成る複数層が積層されて形成され、且つ異方性応力緩和材14が、その一面側に形成された配線パターン16に、半導体素子10の電極端子12に一端がボンディングされたワイヤ20の他端を所定の押圧力で押圧してボンディングするとき、前記圧付力によって実質的に変形されない高弾性率材料から成る高弾性層14aと、異方性応力緩和材14の平面方向に加えられる力に応じて変形する低弾性率材料から成る低弾性層14bとが、交互に積層されて形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

実装基板との熱膨張係数差等に起因し、前記実装基板に実装された半導体装置に生ずる応力を緩和する半導体装置用異方性応力緩和材であって、該異方性応力緩和材が、その厚さ方向に互いに弾性率の異なる材料から成る複数層が積層されて形成され、且つ前記異方性応力緩和材が、その一面側に形成された配線パターンと電気的に接続するワイヤの端部を所定の押圧力で押圧してボンディングするとき、前記押圧力によって実質的に変形されることのない高弾性率材料から成る高弾性層と、前記異方性応力緩和材の平面方向に加えられる力に応じて変形する低弾性率材料から成る低弾性層とが交互に積層されていることを特徴とする半導体装置用異方性応力緩和材。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 W

Fターム (5件)：

4M105CC03 ,  4M105CC06 ,  4M105CC16 ,  4M105CC31 ,  4M105GG18