特許

J-GLOBAL ID：200903035044724026

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 古沢 浩太郎 ,  茨木 晃 ,  林 伸彦 ,  松川 健一 ,  三宅 輝明 ,  後藤 壮謙
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164059
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 信頼性が高いリッジ型埋め込み半導体レーザを製造する。【構成】 p型クラッド層6,p型キャップ層7からなるリッジ部を含む全域にn型ブロック層8を成長させた後(d)、n型ブロック層をポリッシングし(e)、その後n型ブロック層8へのp型不純物の拡散によりp型コンタクト層19を形成する(f)。または、(d)の工程後、リッジ部上方のn型ブロック層8のみをエッチング除去し、その後全域にp型コンタクト層を形成する。

請求項（抜粋）：

リッジ型埋め込み半導体レーザを製造する方法において、基板上にダブルヘテロ構造を形成する工程と、該ダブルヘテロ構造の上部をリッジ状に成形する工程と、このリッジ部表面を含む全域にブロック層を形成する工程と、前記リッジ部上のブロック層のみをエッチングにより除去する工程と、露出したリッジ部及び残存するブロック層上にコンタクト層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-305486
  
• 特開昭57-152180
  
• 特開昭64-057782
  
• 特開昭57-096585