特許

J-GLOBAL ID：200903035044798488

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： 小野 正寛
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307651
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148459
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 情報の消去動作性の向上をはかり書き込み消去回数の向上をはかる。【解決手段】 半導体基板1上にゲート酸化膜を介してポリシリコン膜を形成した後に、該ポリシリコン膜に不純物を注入して導電化し、その上にノンドープのポリシリコン膜を形成する。次に、前記両ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲート6を形成した後に、前記フローティングゲート6を酸化して該フローティングゲート6を被覆するトンネル酸化膜7を形成することにより、該トンネル酸化膜7の膜質が向上し、書き込み消去の回数が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を介してポリシリコン膜を形成した後に該ポリシリコン膜に不純物を注入して導電化する工程と、前記ポリシリコン膜上にノンドープのポリシリコン膜を形成する工程と、前記両ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲートを酸化して該フローティングゲートを被覆するようにトンネル酸化膜を形成する工程と、前記トンネル酸化膜を介してフローティングゲートの上部及び側部を被覆するようにコントロールゲートを形成する工程と、前記フローティングゲート及びコントロールゲートをマスクとして不純物を注入してソース・ドレイン拡散層を形成する工程とを有したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/10 434