特許

J-GLOBAL ID：200903035048253273

電力用半導体装置

発明者： 齋藤 隆一 ,  小池 義彦 ,  関根 茂樹 ,  小池 信也 ,  国分 秀弥
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078620
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 取付基板1のそりの発生を防ぎ、高周波領域を含む領域で大電流を処理することが可能な電力用半導体装置を提供する。【構成】 取付基板1上に搭載の半導体単位ユニット2を有し、取付基板1が外部導出端子付の密封容器で覆われる電力用半導体装置において、単位ユニット2は、絶縁基板3上に接合配置の1つ以上の半導体チップ4〜6と、絶縁基板1上に接合配置の複数電極パターン7〜9と、接続用の複数金属ワイヤ10と、複数端子接続部11〜13と、端子接続部11〜13及び導出端子を接続する複数内部接続端子とからなり、単位ユニットは2個以上であり、単位ユニット2における第1主電極側の端子接続部11と第2主電極側の端子接続部12はいずれかのものが近接配置され、かつ、単位ユニット2の制御電極側の端子接続部13から離間配置されている。

請求項（抜粋）：

取付基板と、前記取付基板上に搭載された半導体単位ユニットと、前記半導体単位ユニットを搭載させた取付基板を覆う密封容器と、この密封容器に設けられた複数の外部導出端子とを有する電力用半導体装置において、前記半導体単位ユニットは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に接合配置された1つ以上の半導体チップと、前記絶縁基板上に接合配置され、前記半導体チップに対応して設けられた複数の電極パターンと、前記各半導体チップと前記複数の電極パターン間に橋絡接続される複数本の金属ワイヤと、前記絶縁基板上に接合配置され、前記複数の電極パターンのいずれかに導電接続される複数の端子接続部と、これら端子接続部を対応した前記外部導出端子に導電接続する内部接続端子とからなり、前記取付基板に搭載される前記半導体単位ユニットは2個以上であり、かつ、各半導体単位ユニットに接合配置される前記半導体チップは同一の機能のものが2個以下であることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-097257
  
• トランジスタモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-039649   出願人：富士電機株式会社