特許
J-GLOBAL ID：200903035049538964
パターン発生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312587
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153550
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】充分な被覆率を有する均一なダミーパターンを誤りなく発生し、配線容量の増加による半導体装置の能力の劣化を簡単に予測することができるパターン発生方法を提供する。【解決手段】パターンセル4をアレイ状に発生させることにより標準ダミーパターンを発生させ、装置を機能させるために必要な第1のパターン1、1 ́に基づいてダミーパターンを発生させることが可能な領域を設定し、標準ダミーパターンの前記領域内に位置するパターンセル4を選択してダミーパターン7を形成し、このダミーパターン7と第1のパターン1、1 ́とを合成してレイアウトパターンを発生させる。
請求項（抜粋）：
パターンセルをアレイ状に発生させることにより標準ダミーパターンを発生させ、装置を機能させるために必要な第1のパターンに基づいてダミーパターンを発生させることが可能な領域を設定し、前記標準ダミーパターンの前記領域内に位置するパターンセルを選択してダミーパターンを形成し、このダミーパターンと前記第1のパターンとを合成してレイアウトパターンを発生させることを特徴とするパターン発生方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/82 C
, G06F 15/60 658 P
