特許
J-GLOBAL ID：200903035057844403
裏面解析観察装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068216
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283127
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイス解析試料のデバイス裏面をSEM観察する際に観察位置を正確に見極めでき詳細な解析を可能とする裏面解析観察装置を得る。【構成】 SEMに半導体デバイス解析試料6を載置しデバイス裏面8aに照射する電子ビーム1の二次電子像を得てデバイス裏面8aを解析観察する装置において、電子ビーム1延長線上に観察位置を一致して配置され解析観察位置に対応するデバイスの表面8bを観察する光学顕微鏡装置9,10,12を設けた。
請求項（抜粋）：
SEMに半導体デバイス解析試料を載置し上記解析試料のデバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て上記デバイス裏面を解析観察する裏面解析観察装置において、上記電子ビーム延長線上に観察位置を一致して配置され上記解析観察位置に対応する上記デバイスの表面を観察する光学顕微鏡を備え観察した上記表面の像によって上記裏面の二次電子像位置を見極めできるようにしたことを特徴とする裏面解析観察装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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