特許

J-GLOBAL ID：200903035061781718

半導体複合薄膜電極およびこれを用いた太陽電池

発明者： 原 浩二郎 ,  佐山 和弘 ,  荒川 裕則
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335628
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141116
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】従来のコロイド担持型半導体薄膜電極などに比べて光エネルギー変換効率が高く、しかも簡単な製造方法で作製できる安価な半導体複合薄膜電極およびそれを用いた光エネルギー変換効率が高められた太陽電池を提供する。【解決手段】導電性透明基板上に紫外光領域に吸収特性を有する多孔質の半導体薄膜層、可視光領域に吸収特性を有する半導体薄膜層を順次設けてなる半導体複合薄膜電極。

請求項（抜粋）：

導電性透明基板上に紫外光領域に吸収特性を有する多孔質の半導体薄膜層、その表面に可視光領域に吸収特性を有する半導体薄膜層を順次設けてなる半導体複合薄膜電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Z

Fターム (14件)：

5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA11 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB10 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032CC17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17