特許

J-GLOBAL ID：200903035062270474

半導体装置の加熱装置およびその方法

発明者： 安藤 公一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238853
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107078
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 基板温度を膜構造に依存せずに均一とする。【構成】 1,2はランプ、4は半導体装置のシリコン基板、5はシリコン基板4を回転自在に支持するターンテーブル、6はシリコン基板4を収納する反応室である。7は反応室6内に反応ガスを導入するガス導入管である。そして、シリコン基板4を照射して、加熱するランプ1、2は、最大強度波長が異なっている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基板表面にランプ光を照射して基板表面を加熱する装置において、最大強度波長の異なる複数種のランプ光を配置したことを特徴とする半導体装置の加熱装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-025928
  
• 特開平2-114514
  
• 特開昭61-193438