特許

J-GLOBAL ID：200903035062813575

地磁気方位センサ

発明者： 篠田 和宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311420
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145374
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 実用的な感度及び高い方位精度を有し、しかも小型化且つ精細化が可能である地磁気方位センサを提供する。【解決手段】 基板1上に、MRセンサM1 ,M2 ,M3 ,M4 、強磁性体コアK1 ,K2 ,K3 ,K4 、及び励磁用コイルC1 ,C2 ,C3 ,C4 等を全てそれぞれ薄膜形成技術により成膜形成し、さらに、ギャップG1 ,G2 ,G3 ,G4 を形成する強磁性体コアK1 ,K2 ,K3 ,K4 の各対向面aをそれぞれテーパ状に形成する。

請求項（抜粋）：

所定のギャップをもって周方向に配列されてなる地磁気を集束する複数の強磁性体コアと、上記ギャップにおける磁界方向に対して略直交するように当該ギャップ内に配されてなる磁気抵抗効果素子と、上記強磁性体コアに層間絶縁層を介して巻回され、電流の供給により上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加する励磁用コイルとを有し、これら強磁性体コア、磁気抵抗効果素子、励磁用コイル、及び層間絶縁層が薄膜形成技術により基板上に形成されてなるとともに、ギャップに臨む各強磁性体コアの端部近傍が当該端部に向かうにつれて徐々に膜厚が減少するように形成されていることを特徴とする地磁気方位センサ。

IPC (4件)：

G01C 17/32 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09 ,  G01V 3/40

FI (4件)：

G01C 17/32 ,  G01R 33/02 L ,  G01V 3/40 ,  G01R 33/06 R