特許

J-GLOBAL ID：200903035064378140

液晶表示パネル用フィルム透明電極の製造方法

発明者： 谷田部 俊明 ,  城 尚志 ,  森貞 和仁
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020490
公開番号（公開出願番号）：特開平8-211399
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】ITOの透明導電性薄膜を、フィルム基板上にスパッタリングにより形成することで、液晶表示パネル用のフィルム透明電極を製造する際の、膜特性向上および生産性向上。【構成】フィルム基板を連続的に走行させる機構を有するスパッタリング装置を使用し、スパッタリングターゲットとしてのITOターゲットに接続した直流電源から直流電力を供給して、膜厚が10〜160nmあるいは表面抵抗値が10〜500Ω/□であるITO薄膜を、膜厚分布が±10%以内、かつ表面抵抗値分布が±15%以内、さらに可視光線透過率分布が±3%以内の特性を有するように、ITO薄膜とフィルム基板を対象に、可視光線透過率と抵抗値をモニターして、スパッタリングガス流量あるいはスパッタリングガス中の酸素濃度のいずれかを制御しながらスパッタリングを継続させて、ITO薄膜を連続的に形成する。

請求項（抜粋）：

ITO(すなわちインジウム-スズ酸化物)の透明導電性薄膜を、フィルム基板上にスパッタリングにより形成することで、液晶表示パネル用のフィルム透明電極を製造する方法において、フィルム基板を連続的に走行させる機構を有するスパッタリング装置を使用し、スパッタリングターゲットとしてのITOターゲットに接続した直流電源から直流電力を供給して、膜厚が10〜160nmあるいは表面抵抗値が10〜500Ω/□であるITO薄膜を、膜厚分布が±10%以内、かつ表面抵抗値分布が±15%以内、さらに可視光線透過率分布が±3%以内の特性を有するように、ITO薄膜とフィルム基板を対象に、可視光線透過率と抵抗値をモニターして、スパッタリングガス流量あるいはスパッタリングガス中の酸素濃度のいずれかを制御しながらスパッタリングを継続させて、ITO薄膜を連続的に形成することを特徴とする液晶表示パネル用フィルム透明電極の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1343 ,  C01G 19/00