特許

J-GLOBAL ID：200903035067122660

単結晶育成法

発明者： 李 京雨 ,  柿本 浩一 ,  日比谷 孟俊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-061893
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：

【要約】【目的】 チョクラルスキー法によるSiの単結晶育成において、結晶中の酸素濃度の分布を均一にする。【構成】 チョクラルスキー法によるSiの単結晶を育成する際、マグネット数Mを0.7〜3.0に設定することにより、結晶中の酸素濃度分布を成長方向、半径方向ともに均一にする。マグネット数MとはM=(hσB0 )/(ρV0 )であり、hは融液の高さ、σは電気伝導度、B0 は印加される磁場における磁束密度、σは融液の密度、V0 は磁場を印加していないときの対流速度である。Mを上記の範囲に設定すると、結晶融液内の対流はルツボの回転軸に関して対称となるような流れに制御でき、ルツボ内の物質輸送が拡散支配となることもなく、渦の発生もない。その結果結晶の成長方向と半径方向に1%以内で均一に酸素が取り込まれる。101 6 cm- 3 〜101 8 cm- 3 の間の任意の濃度で可能である。

請求項（抜粋）：

磁場印加チョクラルスキー法による単結晶育成法において、無次元数マグネット数が0.7から3.0までの範囲で結晶育成を行うことを特徴とする単結晶育成法。

IPC (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 30/04 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-282185
  
• 特開昭60-036392
  
• 特公昭58-050951