特許

J-GLOBAL ID：200903035080276668

光半導体素子接合構造と接合方法

発明者： 蔵田 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094786
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 サブミクロンオーダでの光半導体素子の位置決め固定を可能とする。【構成】 光回路基板1の光半導体素子実装部2に形成されたバリア層8の上にAu層3とSn層4とが層状に形成されている。これらAu層3及びSn層4の上の最上層には予め設定された所定厚さのAu層5が形成され、光半導体素子実装部2の接合部が形成される。この接合部の最上層のAu層5上に光半導体素子9の電極面10を接触されて加圧し、その後に加熱することで、光回路基板1の光半導体素子実装部2に光半導体素子9を接合する。

請求項（抜粋）：

光半導体素子を光回路基板上に接合固定する光半導体素子接合構造であって、前記光半導体素子の接合面及び前記光回路基板上の前記光半導体素子の接合箇所のうち少なくとも一方に、他方との接合面に形成されたAu層を含みかつ互いに共晶化されるAu層及びSn層が積層されて形成された接合材を有し、前記接合材の共晶化により前記光半導体素子の接合面を前記光回路基板上の前記光半導体素子の接合箇所に接合するようにしたことを特徴とする光半導体素子接合構造。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-020091
  
• 特開昭51-036884
  
• 特開平2-252273