特許

J-GLOBAL ID：200903035091635678

半導体シリコンウェーハの製造方法

発明者： 桝村 寿 ,  中野 正己 ,  鈴木 清
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070009
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 比較的弱い局部的な残留歪みである潜傷を簡単に消去することのできる半導体シリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シリコンウェーハを400〜1200°Cで1〜30分間熱処理する。

請求項（抜粋）：

鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シリコンウェーハを400〜1200°Cで1〜30分間熱処理することを特徴とする半導体シリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-064238
  
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215700   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-354136