半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252153
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】高信頼性の半導体装置を提供する。【構成】半導体基板11に溝14を形成した後に、前記溝14の内面に半導体膜15を形成する。そして、一定の条件下においてアニ-ルを行うことにより前記半導体膜15中に金属不純物をゲッタリングする。さらに、前記半導体膜15を酸化膜16に変換する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝の内面に半導体膜を形成する工程と、一定の条件下においてアニ-ルを行うことにより前記半導体膜中に金属不純物をゲッタリングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/324 , H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (3件)

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