半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326738
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、トレンチゲートを有する縦型電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶対耐圧を向上でき、かつBT試験でのしきい値の変動を抑制できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、n+ 型半導体基板11上にn- 型エピタキシャル層12、p+ 型ベース拡散層13およびn+ 型ソース拡散層14を順に形成し、そのソース拡散層14およびベース拡散層13を貫通する深さでトレンチ15を形成する。また、ゲート酸化膜16を介して、ドープポリシリコン層17を堆積させてトレンチ15内を埋め込む。そして、このポリシリコン層17を開口上面とほぼ同じ高さまでエッチングした後、その上に、ドープポリシリコン層18を選択的に成長させることで、トレンチ15の上部コーナー部分をゲート電極が覆わない構造のトレンチゲートを形成する構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された溝部と、この溝部の内壁に沿って形成された絶縁膜と、この絶縁膜を介して前記溝部に形成された、前記溝部の溝幅よりも狭い電極層とを具備したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-233765
特開平3-109775
特開平2-102579

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審査官引用 (5件)

特開平4-233765
特開平3-109775
特開平2-102579

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