特許
J-GLOBAL ID:200903035095345275

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-163278
公開番号(公開出願番号):特開平10-335345
出願日: 1997年06月04日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 エミッタ層にバラスト抵抗層を備えたHBTにおける電流増幅率βの低下を防止したHBTを提供する。【解決手段】 バラスト抵抗層とn-AlGaAs層との間に所定のキャリア濃度のn-GaAsキャリア供給層を形成する。
請求項(抜粋):
第1導電型のGaAsコレクタ領域と、該GaAsコレクタ領域上に形成された第2導電型のGaAsベース領域と、該GaAsベース領域上に形成された、第1導電型のAlGaAs層と該AlGaAs層上に形成された第1導電型のGaAsバラスト抵抗層とを少なくとも含むエミッタ領域とを備えたHBTにおいて、上記第1導電型のAlGaAs層と上記第1導電型のGaAsバラスト抵抗層との間に、接合時に空乏化しない程度のキャリア濃度を有する第1導電型のGaAsキャリア供給層を設けることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (4件):
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/205
FI (3件):
H01L 29/72 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/205

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