特許

J-GLOBAL ID：200903035098983060

金属薄膜の形成方法

発明者： 山本 浩 ,  中野 正 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148018
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014777
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、膜質のよい金属薄膜を製造する製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る金属薄膜の形成方法は、有機Cu化合物の水和物を原料ガスとして供給し、化学気相成長法によって、所望の領域にCuを堆積させてCu合金膜を形成する第1の工程と、H2 Oとの反応性の高い物質のガスを供給して、酸化物を生じさせ、原料ガス雰囲気中から酸素原子の除去を行う第2の工程と、有機Al化合物原料ガスを供給し、化学気相成長法によって、Cu膜上にAlを堆積させてAl膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

有機Al化合物を原料ガスとして供給し、化学気相成長法によって、第1の基板上の所望に領域にAlを堆積させてAl膜を形成する第1の工程と、有機Cu化合物の水和物を原料ガスとして供給し、化学気相成長法によって、前記第1の基板上のAl膜上にCuを堆積させてCu膜を形成する第2の工程と、H2 Oとの反応性の高い物質のガスを供給して、水酸化物もしくは酸化物を生じさせ、雰囲気中からH2 O分子の除去を行う第3の工程と、有機Al化合物を原料ガスとして供給し、化学気相成長法によって、第2の基板上の所望に領域にAlを堆積させてAl膜を形成する第1の工程とを有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3205