特許

J-GLOBAL ID：200903035099095664

半導体記憶装置

発明者： 樫原 洋次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166619
公開番号（公開出願番号）：特開平7-021796
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 欠陥ビットの救済において、同一ブロック内に多数の欠陥ビットが集中した場合においても置換を行うことができる冗長性回路を持つ半導体記憶装置を得る。【構成】 独立した冗長メモリセル領域130を設け、冗長性使用アドレスプログラム回路240に、カラムアドレスYDの他にブロックアドレスZDを入力することにより、通常メモリセル領域120の任意のブロックの欠陥のあるビット線15を、冗長メモリセル領域130の冗長ビット線16と置換する。【効果】 冗長メモリセル領域の任意の数の冗長ビット線で、任意の通常メモリセルブロックの欠陥のあるビット線の置換を行うことができるため、冗長性の自由度が高くなる。

請求項（抜粋）：

複数のワード線、及び複数のビット線と、これらの交点に位置する複数のメモリセルをそれぞれ有する複数のメモリセルブロックと、上記複数のうちの任意のメモリセルブロック内の欠陥メモリセルと置換をすることができるよう、上記複数のメモリセルブロックから独立して設けられた,複数の冗長メモリセルを有する冗長メモリセルブロックと、上記欠陥のあるメモリセルを、上記冗長メモリセルブロックの冗長ビットと置換する冗長性回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。