特許

J-GLOBAL ID：200903035103789579

不揮発性半導体メモリセル及びその製造方法

発明者： チョイ・ジョングホク ,  キム・ゲオンス ,  シン・ユンセオング
出願人/特許権者： サムスング・ジョンジャ・ジュシクフェサ
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-141359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310731
出願日： 1991年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】不揮発性半導体メモリセルのゲート酸化膜を改善してデータ保存維持特性を向上させる。【構成】第1伝導型の半導体基板と、アクティブ領域を限定するためのフィールド酸化膜と、ソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の一部分まで形成されたゲート絶縁膜と、電荷蓄積用フローティング電極に提供される第1導電体層と、制御電極に提供される第2導電体層とを備える不揮発性半導体メモリセルにおいて、ゲート絶縁膜のエッジ部分が厚くなるようにする。【効果】ゲート絶縁膜からの電子漏れを防止でき、データ保存維持特性が向上する。

請求項（抜粋）：

第1伝導型の半導体基板と、該半導体基板上にアクティブ領域を限定するために形成されるフィールド酸化膜と、前記アクティブ領域の半導体基板の表面近傍にチャネル領域を挟んで互いに分離されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域から前記ソース領域およびドレイン領域の一部分に渡る領域に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成され電荷蓄積用フローティング電極に提供される第1導電体層と、該第1導電体層上に形成される層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され制御電極に提供される第2導電体層とを備える不揮発性半導体メモリセルであって、前記ゲート絶縁膜が、前記ソース領域と電気的に連なるアクティブ領域のエッジ部分に比較的膜厚の厚い厚膜部を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリセル。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-257277
  
• 特開昭58-050771
  
• 特開昭55-044742
  
• 特開平2-159041