特許

J-GLOBAL ID：200903035104694911

太陽電池

発明者： 山岸 長保 ,  後藤 修 ,  上田 孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085712
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト層のエッチングの有無に拘わらず、少なくとも従来の太陽電池と同程度の光電変換効率を有する。【解決手段】 n型半導体基板10上に順次にBSF層12、光電変換層22、窓層18、コンタクト層20及び表面電極24を設ける。また他方のn型半導体基板上に裏面電極26を設ける。光電変換層はn型半導体基板側から順次に設けられたn型及びp型光電変換層14及び16から成る。コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。

請求項（抜粋）：

光電変換層と窓層とコンタクト層を順次に積層した積層体を具える太陽電池において、前記光電変換層のエネルギーバンドギャップをE1 とし、前記コンタクト層のエネルギーバンドギャップをE3 とするとき、E3 >E1 であることを特徴とする太陽電池。

Fターム (5件)：

5F051AA08 ,  5F051BA16 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA09