特許
J-GLOBAL ID：200903035105973016
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152072
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 窒化物系半導体からなる短波長半導体レーザを得る。【構成】 Ga1-a-b Ina Alb N半導体からなる活性層4が、活性層4とほぼ格子整合すると共に活性層4よりもバンドギャップが大きくかつ互いに導電型が異なるGa1-x-y Inx Aly N半導体からなるクラッド層3,5で挟まれたサンドイッチ構造を有する半導体レーザとする。
請求項（抜粋）：
Ga1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1,0≦b≦0.5)半導体からなる活性層が、該活性層とほぼ格子整合すると共に該活性層よりもバンドギャップが大きくかつ互いに導電型が異なるGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1,0≦y≦1)半導体からなる二つのクラッド層で挟まれているサンドイッチ構造を具備することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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