特許

J-GLOBAL ID：200903035108314960

荷電粒子露光用マスク及び半導体素子製造方法

発明者： 鈴木 美彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035780
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【解決課題】 荷電粒子線用のマスクはパターンが形成されているマスク部の厚さが薄いために補強用のフレームを要する。しかしながら、パターンを形成したマスク部をフレームに固定する際にマスク部の外周部に生じる機械的な変形のためにマスク部のパターンが変形し、露光のパターン精度が低下する。【解決手段】 パターンが形成された部分とフレームと接合する外周部との間に変形を吸収するバネの機能を有する連結構造体を設けることによりパターンの変形を防止する。

請求項（抜粋）：

ウェハ上に投影されるパターンが支柱によって分割されて形成されたメンブレン領域部及び該メンブレン領域部を一体的に保持する内支持体部からなるマスク部を有する荷電粒子線露光用マスクであって、該マスク部外周領域を補強支持する外支持体部を設け、更に内支持体部と外支持体部との間に、バネ特性を有する連結構造体を設けた事を特徴とする荷電粒子露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B

Fターム (8件)：

2H095BA08 ,  2H095BB14 ,  2H095BC28 ,  2H095BC30 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05