特許
J-GLOBAL ID:200903035113052930

α型炭化珪素およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早川 誠志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-107680
公開番号(公開出願番号):特開平6-298515
出願日: 1993年04月08日
公開日(公表日): 1994年10月25日
要約:
【要約】【目的】 発光素子等を含む半導体素子製造や拡散炉等の半導体製造用熱処理部材として用いられるα型炭化珪素及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明のα型炭化珪素は、不純物含有量として鉄1.00ppm未満、銅1.00ppm未満、且つアルミニウム1.00ppm未満から成るものである。またこの発明によるα型炭化珪素の製造方法は、再結晶炭化珪素製坩堝に金属シリコンと炭素質原料とを充填し、不活性ガス雰囲気下2000乃至2200°Cにてα型炭化珪素を合成することをその要旨としている。【効果】 従来、高純度α型炭化珪素を得るために煩雑な酸処理工程を伴っていた操作に対し、再結晶炭化珪素製坩堝を用い金属シリコンと炭素質原料を出発原料とすることで簡便に高純度α型炭化珪素を合成することができ半導体素子製造や半導体製造用熱処理部材製造用原料として提供することができ、広くその利用分野が期待できる。
請求項(抜粋):
不純物含有量として、鉄1.00ppm未満、銅1.00ppm未満、且つアルミニウム1.00ppm未満であることを特徴とするα型炭化珪素。
IPC (2件):
C01B 31/36 ,  H01L 21/22
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭61-097126
  • 特開昭52-117899

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