特許

J-GLOBAL ID：200903035118234573

配線形成法及びそれに用いる半導体製造装置

発明者： 深田 晋一 ,  小林 伸好
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-266933
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116898
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 配線層形成と高温高圧埋込みを別装置で実施するため、配線層形成に指向性スパッタ法を用い層間接続孔側壁のカバレジ性を改善する。【解決手段】 層間接続孔内の 配線金属層の形成は、遠距離スパッタ法もしくはコリメータ法により温度T1で膜形成する工程1(図3b)と通常の直流マグネトロンスパッタ法により温度T2 (T2>T1)で形成する工程2(図3c)との二工程で行い、しかる後、高温加圧下でその配線金属を流動させて上記層間接続孔内に埋め込むこと(図3d)により達成される。【効果】 配線金属層の形成に指向性スパッタ法を用い、高融点金属層よりはるかに厚く膜形成することにより層間接続孔側壁のカバレジを改善し、脱ガスを防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上の層間絶縁層に開孔された接続孔に配線相互の接続のための金属を埋め込む配線形成法において、前記接続孔の側壁に被覆する工程1と、前記接続孔を覆い、その接続孔内部に空洞を作り込む工程2とで、前記絶縁膜上に前記金属を被覆し、しかる後、高温加圧下で前記金属を流動させ、前記接続孔内の空洞を埋め込むことを特徴とする配線形成法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/90 A ,  C23C 14/34 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/68 A