特許

J-GLOBAL ID：200903035119157092

半導体装置の製造方法

発明者： 梅下 尚己
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213349
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055175
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 電子サイクロトロン共鳴型エッチング手段によるウエハ上のシリコン系膜,タングステン系膜のエッチング処理,成形において、エッチング後における成形部分へのコロージョン状生成物の発生を防止する。【構成】 エッチングの第1段階では、エッチングガスに塩素ガスを含む混合ガス,または塩素ガス単体を用い、エッチングの第2段階では、エッチングガスに塩素ガスを含まずに弗化硫黄を含む混合ガス,または弗化硫黄ガス単体を用いるようにし、また、第2段階のエッチング時間を、第1段階のエッチング中にウエハ表面に付着,かつ残留されている塩素原子が弗素によって完全に置換するのに必要な時間以上に設定し、さらに、第1段階のエッチングと、第2段階のエッチングとを、同一のエッチング処理室内で連続して行なう。

請求項（抜粋）：

電子サイクロトロン共鳴型エッチング手段によるウエハ上のシリコン系膜,タングステン系膜のエッチング処理,成形に際して、エッチングの第1段階では、そのエッチングガスとして、塩素ガスを含む混合ガス,または塩素ガス単体を用い、また、エッチングの第2段階では、そのエッチングガスとして、塩素ガスを含まずに弗化硫黄を含む混合ガス,または弗化硫黄ガス単体を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。