特許
J-GLOBAL ID：200903035120671050
磁気抵抗効果膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122425
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】通常のシャント電流やセンス電流で十分にバイアスが作用し、FeMn等の縦磁場印加機構を付加しなくてもバルクハウゼンノイズを発生させることのない磁気抵抗効果膜を提供すること。【構成】膜面が、30度以上60度以下の角度を有する平行四辺形である磁気抵抗効果膜。【効果】磁気抵抗効果膜の端部の磁壁の移動や磁区の回転を抑制できるのでバルクハウゼンノイズの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
膜面が、30度以上60度以下の角度を有する平行四辺形である磁気抵抗効果膜。
IPC (4件)：
H01F 10/00
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/02
