超電導円筒体およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099398
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【構成】アスペクト比が5〜100の燐片状のBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導粉末に、必要に応じて分散剤、溶媒、結合剤を添加混合させた泥漿をを多孔質成形型内に流し込み、該多孔質成形型の内壁面に前記超電導粒子を着肉させた後、さらに前記多孔質成形型に静水圧を印加し、この後、前記多孔質成形型から前記成形体を取り出し、前記成形体を酸化性雰囲気中で焼成することにより、超電導粒子のC軸配向度が60%以上の超電導円筒体を得る。【効果】鱗片状酸化物超電導粉末の配向性を高めるとともに高密度化できるために、臨界電流密度を向上させることができ、これにより高い一体物で継ぎ目のない高い磁気遮蔽能力を有する超電導円筒体を提供できる。

請求項（抜粋）：

アスペクト比が5〜100の燐片状のBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導粒子を主成分とし、鋳込成形後、焼成することにより得られた磁気シールド体であって、前記超電導粒子のC軸配向度が60%以上であることを特徴とする超電導円筒体。

IPC (4件)：

H05K 9/00 ZAA , C01G 1/00 , C04B 35/45 ZAA , H01L 39/00 ZAA

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