特許

J-GLOBAL ID：200903035122853890

シリコンウエーハ定量汚染試料の作製方法及び作製器具

発明者： 高梨 一仁 ,  水野 亨彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244835
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064180
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエーハの表面状態が親水性か疎水性かに拘らず、汚染濃度を1×1010atoms/cm2 の低濃度まで任意の濃度に定量汚染し、かつ汚染元素が面内均一に分布している汚染試料を再現性良く、簡便に作製する汚染試料の作製方法及び作製器具を提供する。【解決手段】 一定濃度の汚染物質を含有し、揮発性のある表面張力の低い有機溶媒から成る汚染溶液の一定量を、シリコンウエーハ表面上に滴下し、その後、有機溶媒を揮発させて乾燥させるシリコンウエーハ定量汚染試料の作製方法であり、有機溶媒を超高純度エタノールまたは超高純度アセトンとする。

請求項（抜粋）：

一定濃度の汚染物質を含有し、揮発性のある表面張力の低い有機溶媒から成る汚染溶液の一定量を、シリコンウエーハ表面上に滴下し、その後、有機溶媒を揮発させて乾燥させることを特徴とするシリコンウエーハ定量汚染試料の作製方法。

IPC (3件)：

G01N 1/00 102 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 1/00 102 B ,  H01L 21/66 L ,  G01N 1/28 N ,  G01N 1/28 V