特許
J-GLOBAL ID：200903035127731415

パターン形成方法

発明者：
藤本 匡志

藤本 匡志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-351164
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156738
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 デフォーカスや球面収差の影響を排除することにより寸法精度を向上させた、位相シフト露光によるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 位相シフトマスク10は、ポジ型レベンソン位相シフトマスクである。例えば、ゲート層の回路パターン14のような最小線幅100nm程度のデバイスを、KrFエキシマレーザを光源とした投影露光装置で露光する。回路パターン14は、位相シフトマスク10及び通常マスク12をそれぞれ用いた二度露光によって形成される。このとき、位相シフトマスク10を用いた一度目の露光の際に、基板141を光軸方向に移動させて複数の結像面で露光を行う。この多重焦点露光により、パターン寸法の誤差が平均化されて小さくなる。
請求項（抜粋）：
位相シフトマスクを用いた露光により、基板上のレジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、前記位相シフトマスク又は前記基板の少なくとも一方を光軸方向に一定距離移動させながら前記露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/207 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 514 C
Fターム (8件)：
2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB34 ,  5F046BA05 ,  5F046BA08 ,  5F046CA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA14
引用特許：
審査官引用 (10件)
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