特許

J-GLOBAL ID：200903035131804788

半導体記憶装置

発明者： 古野間 利彦 ,  齋江 靖彦 ,  菊池 隆 ,  佐々木 琴子 ,  波多野 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282864
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ダイナミック型メモリセルの蓄積電荷保持能力などに応じてリフレッシュサイクルを選択することができ、歩留まりの向上に寄与することができる半導体記憶装置を提供することにある。【構成】 複数のリフレッシュサイクルから一つのリフレッシュサイクルを指定するための動作モード指定手段RFCと、その動作モード指定手段によって指定される動作モードに応じて、単位メモリサイクル中にワード線を選択すべきメモリマットの数を相違させる制御論理RFLとを設け、指定されたリフレッシュサイクルに応じて、単位メモリサイクル中にワード線を選択すべきメモリマットの数を相違させ、ダイナミック型メモリセルの蓄積電荷保持能力などに応じたリフレッシュサイクルを内部で回路的に実現し、メモリセルの蓄積電荷保持能力が規定値よりも低い場合にも外面的な仕様を変えることなく救済可能にする。

請求項（抜粋）：

夫々ダイナミック型メモリセルをマトリクス配置した複数個のメモリマットを有する半導体記憶装置において、複数のリフレッシュサイクルから一つのリフレッシュサイクルを指定するための動作モード指定手段と、その動作モード指定手段によって指定される動作モードに応じて、単位メモリサイクル中にワード線を選択すべきメモリマットの数を相違させる制御論理と、を設けて成るものであることを特徴とする半導体記憶装置。