特許
J-GLOBAL ID：200903035139423236
多色放射用のスタック式活性領域レーザアレー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260087
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162102
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 至近離間された多数のカラーレーザビームを出力することのできるスタック式の活性領域構造体を提供する。【構成】 モノリシックアレーは、大きいが充分に制御される波長分離をもったレーザビームを出力する至近離間されたレーザストライプを有する。モノリシックアレーは、基体から離れるにつれてエネルギーバンドギャップの減少する順序で積み重ねられた複数のスタック状活性領域を使用する。これらの活性領域は、1つ以上の薄いエッチング停止層によって分離される。最も下の活性領域と基体との間には下部クラッド層があり、各スタックの最も上の活性領域の上には上部クラッド層がある。各スタックの上の強くドープされたキャップ層/金属接点と基体上の金属接点とを用いて各スタックへの電気的接続がなされる。各スタックを取り巻く閉込層によって横方向のキャリア及び光学的閉じ込めが達成される。この閉込層は、不純物で誘起される層の無秩序化を用いて形成される。
請求項（抜粋）：
光学共振器を有する半導体レーザ構造体において、基体と、上記基体上にあって、横方向の光学的な閉じ込めを与える下部クラッド層と、上記下部クラッド層上にあって、第1のバンドギャップを有している下部活性領域と、上記下部活性領域上にある下部エッチング停止層と、上記下部エッチング停止層に隣接し、上記第1バンドギャップより小さい第2バンドギャップを有している上部活性領域と、上記上部活性領域の上にある上部エッチング停止層と、上記上部活性領域の上にあって、横方向の光学的な閉じ込めを与える上部クラッド層と、上記上部クラッド層の上にあって、改良された電気的接触を与えるキャップ層と、上記キャップ層の上にあって、上記上部及び下部の活性領域への第1入力端子を与える上部金属接点と、上記基体の底面にあって、上記上部及び下部の活性領域への第2入力端子を与える下部金属接点とを備え、上記上部と下部の金属接点間の電流の流れは、上記上部活性領域がレーザを発するように上記上部及び下部の活性領域を通過することを特徴とする半導体レーザ構造体。
IPC (2件)：
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