特許
J-GLOBAL ID：200903035148165606
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050218
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251407
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】バイポーラトランジスタやMOSトランジスタにおいて、単結晶シリコン基板上の多結晶シリコンを選択性良くエッチングする。【構成】単結晶シリコン基板2上に成長された多結晶シリコン膜3からなるベース電極とそのベース電極の一部を除去し、その領域にエミッタを形成する自己整合的なバイポーラトランジスタにおいて、多結晶シリコン膜3からなるベース電極の一部を除去する方法として、その除去したい領域の多結晶シリコン膜3にリンあるいはヒ素をコントロールよくイオン注入し、塩素を主体としたガスによる反応性イオンエッチングを行なう。【効果】リン(ヒ素)注入領域のエッチングレートをシリコン基板1に対して2倍近くにする事により、基板1と選択性をもたせる事ができる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に直接披着した多結晶シリコン膜の所定領域を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、少なくとも前記多結晶シリコン膜の前記所定領域をN型にし、しかる後に塩素を主体としたガスを用いて前記所定領域に反応性イオンエッチングを行なう事を特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/331
, H01L 29/73
