シリコンウエハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085182
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275481
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】回路形成面を上側に位置づけてウエハを水平状態で熱処理するときに回路形成面に加わる熱変形による圧縮応力を可及的減少させる。【構成】シリコンウエハ11を、鏡面12(回路形成面)を凸曲面として断面略弓状に湾曲形成した。熱変形は、鏡面12の曲率を増大させる方向に生じるが、変形方向は重力の作用する方向とは逆であるので、重力によって緩和される。鏡面12を上側に位置づけて熱処理すると、鏡面12に加わる熱変形による圧縮応力が減少する。このため、シリコンウエハ11の結晶の品質が低下し難い。

請求項（抜粋）：

回路形成面を上方へ向けて熱処理が施されるシリコンウエハにおいて、回路形成面を凸曲面として断面略弓状に湾曲形成したことを特徴とするシリコンウエハ。

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