金属回路パターン形成方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374055
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ポリイミド基材と金属回路部との密着強度が高くかつ金属回路の線間絶縁抵抗が高い金属回路パターン形成方法を提供するものである。【解決手段】ポリイミド基材1上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体層2を形成し、フォトマスク3を介して、金属回路形成部のみに水素供与体4が存在した状態で紫外線7を照射し、金属回路形成部にメッキ下地核を形成し、無電解メッキ処理による下地金属層形成工程と、その下地金属層8上に金属回路部9を形成するメッキ処理、ポリイミド樹脂前駆体層2を加熱によるポリイミド樹脂層にするイミド化処理、非金属回路形成部のポリイミド樹脂前駆体層又はポリイミド樹脂層を除去する除去処理からなる金属回路形成工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、非金属回路形成部が開口し、かつ金属回路形成部および非金属回路形成部が同時に露光される紫外線透過型のフォトマスクを介して、金属回路形成部に水素供与体が存在し、かつ非金属回路形成部に水素供与体が存在しない状態で紫外線を照射し、金属回路形成部にメッキ下地核を形成し、フォトマスクを除去した後、無電解メッキ処理によりメッキ下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、前記メッキ下地金属層上に金属回路部を形成するメッキ処理、前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にするイミド化処理、非金属回路形成部のポリイミド樹脂前駆体層又はポリイミド樹脂層を除去する除去処理からなる金属回路形成工程と、を有することを特徴とする金属回路パターン形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/18 , C23C 18/20 , C23C 28/02

FI (4件)：

H05K 3/18 C , H05K 3/18 H , C23C 18/20 Z , C23C 28/02

Fターム (42件)：

4K022AA15 , 4K022AA42 , 4K022BA14 , 4K022BA31 , 4K022BA35 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA13 , 4K022CA21 , 4K022CA22 , 4K022CA26 , 4K022DA01 , 4K022EA01 , 4K022EA03 , 4K022EA04 , 4K044AA16 , 4K044AB02 , 4K044BA06 , 4K044BB03 , 4K044BC05 , 4K044BC14 , 4K044CA04 , 4K044CA15 , 4K044CA18 , 4K044CA53 , 4K044CA62 , 5E343AA02 , 5E343AA12 , 5E343AA18 , 5E343AA33 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC62 , 5E343CC73 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343ER01 , 5E343ER05 , 5E343ER11 , 5E343ER57 , 5E343GG01 , 5E343GG08

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